特許
J-GLOBAL ID：200903094740804057

半導体装置

発明者：
石川 和弘

石川 和弘 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273411
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106410
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 消費電力が高い仕様の半導体素子を用いてフリップチップ実装した場合、急激な半導体素子の温度上昇により半導体素子が破壊し、半導体装置が動作しなくなるといった不具合を解消する。【解決手段】 半導体キャリア基板4の半導体素子実装エリアにフリップチップで実装した半導体素子2を支持し、半導体キャリア基板4の上面に複数の電極7と配線12を形成した半導体装置であって、半導体キャリア基板4の上面の複数の電極7と配線12以外の部分に、熱伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱エリア1と、半導体素子実装エリアから金属めっき放熱エリア1に導く金属めっき放熱パターン3とを設けた。これにより、動作時に発熱する半導体素子2からの熱をプリント実装基板へ効率良く放散させることができ、熱抵抗の低い半導体装置を実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体キャリア基板の半導体素子実装エリアにフリップチップで実装した半導体素子を支持し、前記半導体キャリア基板の上面に複数の電極と配線を形成した半導体装置であって、前記半導体キャリア基板の上面の前記複数の電極と配線以外の部分に、熱伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱エリアと、前記半導体素子実装エリアから前記金属めっき放熱エリアに導く金属めっき放熱パターンとを設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311
FI (3件)：
H01L 23/12 J ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L
Fターム (5件)：
5F044GG10 ,  5F044KK04 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR18
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • ボール・グリッド・アレイ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-344219   出願人：有限会社パックビジョン
  • 回路基板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035377   出願人：富士ゼロックス株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-104879   出願人：富士通株式会社

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