特許
J-GLOBAL ID：200903094757874032

電子部品、および電子部品の製造方法

発明者：
樋口 庄一

樋口 庄一 について

, 
国司 多通夫

国司 多通夫 について

, 
浜地 幸生

浜地 幸生 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288175
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110666
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】高温状態と低温状態が繰り返されるような環境下にあっても、外部電極の最外層に設けられたSnめっき層にホイスカーを発生させない電子部品を提供する。【解決手段】電子部品の外部電極の最外層に設けられたSnめっき層の平均結晶粒径を1μm以下に微細化することで、高温状態と低温状態が繰り返される環境下においてもSnめっき層にホイスカーが発生するのを抑制する。
請求項（抜粋）：
基体表面に形成された複数の層からなる外部電極の最外層にSnめっき層が設けられてなる電子部品において、前記Snめっき層の平均結晶粒径が1μm以下であることを特徴とする電子部品。
IPC (9件)：
H01G 4/12 361 ,  H01G 4/12 352 ,  H01G 4/12 364 ,  C23C 28/00 ,  C25D 3/32 ,  C25D 5/54 ,  C25D 7/00 ,  H01G 4/30 301 ,  H01G 4/30 311
FI (9件)：
H01G 4/12 361 ,  H01G 4/12 352 ,  H01G 4/12 364 ,  C23C 28/00 D ,  C25D 3/32 ,  C25D 5/54 ,  C25D 7/00 G ,  H01G 4/30 301 B ,  H01G 4/30 311 E
Fターム (47件)：
4K023AA12 ,  4K023AA17 ,  4K023BA15 ,  4K023CB03 ,  4K023CB04 ,  4K023CB13 ,  4K023CB33 ,  4K023DA02 ,  4K023DA03 ,  4K023DA04 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K024AA03 ,  4K024AA07 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024BA15 ,  4K024BB09 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA03 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024DA10 ,  4K044AA13 ,  4K044AB05 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA10 ,  4K044BB04 ,  4K044BC14 ,  4K044CA18 ,  4K044CA24 ,  5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AC09 ,  5E001AH07 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082FF05 ,  5E082FG26 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG26 ,  5E082PP09 ,  5E082PP10
引用特許：
審査官引用 (2件)

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