特許
J-GLOBAL ID：200903094777992694

積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法

発明者：
中野 幸恵

中野 幸恵 について

, 
宮内 真理

宮内 真理 について

, 
佐藤 陽

佐藤 陽 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (2件)： 岡田 賢治 ,  今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-349374
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223313
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】本発明の目的は、誘電体の酸素空位の消失とNi内部電極の酸化の抑制とを同時に達成することで、誘電率が高く且つ取得静電容量の大きい信頼性の高い積層型セラミックコンデンサを提供することである。【解決手段】本発明に係る積層型セラミックコンデンサは、チタン酸バリウムを主成分とした誘電体からなる誘電体層1とNiを主成分とした内部電極層3とが交互に積層された積層誘電体素子本体2を有する積層型セラミックコンデンサにおいて、構成元素としてMg-Si-Oを含む第1異相6が存在することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウムを主成分とした誘電体からなる誘電体層とNiを主成分とした内部電極層とが交互に積層された積層誘電体素子本体を有する積層型セラミックコンデンサにおいて、 構成元素としてMg-Si-Oを含む第1異相が存在することを特徴とする積層型セラミックコンデンサ。
IPC (4件)：
H01G4/12 ,  C04B35/46 ,  C04B35/495 ,  H01G4/30
FI (10件)：
H01G4/12 361 ,  H01G4/12 346 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/12 364 ,  C04B35/46 D ,  H01G4/30 301C ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/30 311D ,  H01G4/30 311Z ,  C04B35/00 J
Fターム (58件)：
4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA16 ,  4G030AA19 ,  4G030AA22 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA25 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030CA08 ,  4G030GA20 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA33 ,  4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA13 ,  4G031AA16 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA08 ,  4G031GA11 ,  4G031GA16 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AH01 ,  5E001AH08 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082EE04 ,  5E082EE22 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082LL01 ,  5E082LL02 ,  5E082MM24 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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