特許
J-GLOBAL ID：200903094796887788
多層配線回路モジュール及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-195018
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039867
出願日： 2002年07月03日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】ビアホールや配線パターンの微小・微細化と全体の薄型化を図る。【解決手段】各単位配線層8〜12が、感光性絶縁樹脂材により形成した第1の絶縁層22にフォト・リソグラフ処理を施してビアホール溝25を形成するとともにこの第1の絶縁層22上に感光性絶縁樹脂材により形成した第2の絶縁層23にフォト・リソグラフ処理を施して配線溝27を形成する。ビアホール溝25と配線溝27とに導体金属が充填されるように第2の絶縁層23上に導体金属層24を形成し、この導体金属層24に第2の絶縁層23の主面を露出させるまで研磨処理を施してビアホール溝25と配線溝27内に充填された導体金属によりビアホール13と配線パターン26とを形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数層の単位配線層が多数個のビアホールを介して互いに層間接続されて積層形成されてなる多層配線回路モジュールにおいて、
上記各単位配線層が、感光性絶縁樹脂材により成膜形成され、フォト・リソグラフ処理を施されて上記各ビアホールに対応する多数個のビアホール溝が形成されてなる第1の絶縁層と、
上記第1の絶縁層上に感光性絶縁樹脂材により成膜形成され、フォト・リソグラフ処理を施されて一部に上記各ビアホール溝との連通部を有する配線パターンに対応する配線溝がパターン形成されてなる第2の絶縁層と、
上記第2の絶縁層上に、上記各ビアホール溝と上記配線溝内にも導体金属が充填されて成膜形成されてなる導体金属層とから構成され、
上記第2の絶縁層の主面を露出させるまで研磨処理を施してこの第2の絶縁層の主面に同一面を構成して露出された上記導体金属層の上記各ビアホール溝と上記配線溝内に充填された導体金属により、上記各ビアホールと上記配線パターンとが形成されることを特徴とする多層配線回路モジュール。
IPC (3件)：
H01L23/12
, H01L25/04
, H01L25/18
H01L23/12 N
, H01L25/04 Z
