特許
J-GLOBAL ID：200903094839169736
3族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-021445
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210692
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】ミスフィット転位及び刃状転位の発生を防止し、結晶性を高め、発光素子の特性を向上させる。【解決手段】クラッド層3、5若しくはバリア層41と井戸層43との間に、若しくはクラッド層3、5若しくはバリア層41内の井戸層43との接合部に、3族窒化物系化合物半導体の3元若しくは2元の化合物を用い、バリア層41と井戸層43との格子定数緩和を目的としてその組成を変化させる領域を設ける。例えば、AlGaN→GaN→InGaNである。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
量子井戸構造を有する3族窒化物系化合物半導体発光素子であって、井戸層の上下に形成される層と井戸層との接合部近傍に該井戸層の上下に形成される層の格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域を有することを特徴とする3族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CB36
