特許

J-GLOBAL ID：200903094872174699

不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

発明者： 小野 正寛
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083783
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277634
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 デバイス特性向上を図る上で有利な不発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置は、ソース・ドレイン領域61,74を有するP型のシリコン基板51上に形成されたゲート酸化膜53,69と、前記ソース領域61の両端部にそれぞれ隣接するように前記ゲート酸化膜53を介して形成されたフローティングゲート67と、前記フローティングゲート67と前記ドレイン領域74に隣接するように前記ゲート酸化膜69を介して形成されたコントロールゲート70と、前記フローティングゲート67にトンネル酸化膜62Bを介して隣接するように前記ソース領域61上に形成された消去ゲート64とを具備したものである。

請求項（抜粋）：

第1,第2の拡散領域を有する半導体基板上にフローティングゲートとコントロールゲートとを有する不揮発性半導体記憶装置において、隣り合うメモリセル同士の前記フローティングゲートにトンネル酸化膜を介して隣接するように形成された消去ゲートを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (40件)：

5F001AA21 ,  5F001AA32 ,  5F001AA33 ,  5F001AB03 ,  5F001AB06 ,  5F001AB30 ,  5F001AC02 ,  5F001AC61 ,  5F001AD12 ,  5F001AD41 ,  5F001AD51 ,  5F001AD62 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AF10 ,  5F083EP15 ,  5F083EP25 ,  5F083EP30 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER18 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA19 ,  5F083GA30 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-187629   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平3-240275
  
• 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201497   出願人：三洋電機株式会社