特許
J-GLOBAL ID：200903094913876423

光透過膜、高抵抗透明導電膜、光透過膜形成用スパッタリングタ-ゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法

発明者：
桑野 勝雄

桑野 勝雄 について

, 
高見 英生

高見 英生 について

, 
打越 雅仁

打越 雅仁 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005413
公開番号（公開出願番号）：特開平11-322413
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：
【要約】【課題】 1×10-3〜5×10-3Ω・cmという比抵抗を有する透明導電膜の作成が可能であり、またスパッタリング時のパーティクルの発生を減少させ、スパッタリングの中断または中止の回数を減らして生産効率を上げ、かつ透過率が大きく、低反射率の光ディスク用保護膜を得る。【解決手段】 ガラス形成酸化物0.01〜20重量%含有し、残部In2O3、SnO2、ZnOから選択された1種以上の酸化物である光透過膜、さらに必要に応じて、硬質材料酸化物であるZrO2、TiO2若しくはAl2O3、Ga2O3又はガラス形成酸化物であるNb2O5、V2O5、B2O3、SiO2、P2O5の成分を添加することができる。
請求項（抜粋）：
ガラス形成酸化物0.01〜20重量%を含有し、残部In2O3、SnO2、ZnOから選択された1種以上の酸化物であることを特徴とする光透過膜。
IPC (8件)：
C04B 35/457 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  G02B 1/10 ,  G11B 7/24 534 ,  G11B 7/24 535 ,  H01B 1/08 ,  H01B 5/14
FI (8件)：
C04B 35/00 R ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  G11B 7/24 534 K ,  G11B 7/24 535 M ,  H01B 1/08 ,  H01B 5/14 A ,  G02B 1/10 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM