特許

J-GLOBAL ID：200903094934162498

静電吸着装置

発明者： 長谷川 明広
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038688
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236602
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 高密度プラズマを用いたときのウエハの自己バイアス電圧の低下を抑制し、効率的なプラズマ処理を行うことができる静電吸着装置を提供する。【構成】 基板を保持するための平坦な上面を有する誘電体層と、前記誘電体層の下に配置され、高周波電圧が印加される第1の電極と、前記誘電体層の下に配置され、前記第1の電極と絶縁され、直流電圧が印加される第2の電極とを有し、前記第1の電極と前記誘電体層の上面との距離は、前記第2の電極と前記誘電体層の上面との距離以下である。

請求項（抜粋）：

基板を保持するための平坦な上面を有する誘電体層と、前記誘電体層の下に配置され、高周波電圧が印加される第1の電極と、前記誘電体層の下に配置され、前記第1の電極と絶縁され、直流電圧が印加される第2の電極とを有し、前記第1の電極と前記誘電体層の上面との距離は、前記第2の電極と前記誘電体層の上面との距離以下である静電吸着装置。

IPC (6件)：

H01L 21/68 ,  B25J 15/06 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  C23C 16/50

FI (6件)：

H01L 21/68 R ,  B25J 15/06 S ,  C23F 4/00 Z ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-003251
  
• 静電吸着ステージおよびその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-093849   出願人：ソニー株式会社
• 半導体製造装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-147948   出願人：国際電気株式会社