特許
J-GLOBAL ID：200903094973860917

絶縁体薄膜を製造する方法

発明者：
ラメシュ カカード

ラメシュ カカード について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053886
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244259
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【解決手段】 この文書では、SiO2および窒化シリコン膜をシリコン上に室温から摂氏60度までの温度で成長させる方法を示す。より低温での酸化は、フォトンエネルギーまたはイオンエネルギーまたは電子エネルギーを1または複数の希ガスおよび1または複数の酸化ガスを含有するガス混合物に供給することによって、反応酸素種およびラジカルを形成させることにより可能である。同様にフォトンまたはイオンまたは電子を通じてのエネルギーを1または複数の希ガスおよび1または複数の窒化ガスを含有するガス混合物に供給することによって窒化シリコン膜を製造することも可能である。
請求項（抜粋）：
(a)1または複数の希ガスと1または複数の酸化ガスの混合物をチャンバー中に注入し、(b)ガス混合物にエネルギーを印加して反応種を生成し、(c)反応酸化種を次いでシリコンと反応させてSiO2を形成する工程からなるシリコン基材または他の基材上に積層されたシリコン膜を酸化することによってSiO2の絶縁体薄膜を製造する方法。
IPC (6件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/316 A ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/318 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V
Fターム (32件)：
5F040DC01 ,  5F040EB12 ,  5F040ED01 ,  5F040ED04 ,  5F040ED07 ,  5F040FC00 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045CA15 ,  5F045EE14 ,  5F045HA16 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF05 ,  5F058BF17 ,  5F058BF19 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF31 ,  5F058BH05 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF10 ,  5F110FF36
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 酸化膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238646   出願人：大見忠弘
  • 薄膜トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-125283   出願人：ソニー株式会社
  • 特開平4-242933
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