特許

J-GLOBAL ID：200903094982968925

半導体装置

発明者： 貫和 大 ,  赤井 孝夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083882
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284097
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】本発明はボールグリッドアレイ(以下BGAという)型及びランドグリッドアレイ(以下、LGAという)型の半導体装置に関し、温度サイクル試験等の加熱処理を行なっても高い信頼性を維持することを課題とする。【解決手段】プリント基板12と、この基板12の上面にフェイスダウンボンディングされる半導体素子14と、前記基板12に第1の接着剤24を介して接着されると共に半導体素子14が内部に位置する開口部30が形成されなるスティフナー16と、半導体素子14及びスティフナー16の上部を覆うように配設され第2の接着剤26により接着されるメタルプレート18とを具備する半導体装置において、前記スティフナー16が、加熱時における基板12の熱膨張による変形、及びメタルプレート18の熱膨張による変形を共に阻止しうる剛性を有するよう構成する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の上面にフェイスダウンボンディングされる半導体素子と、前記基板に第1の接着剤を介して接着されると共に、前記半導体素子が内部に位置する開口部が形成されなる枠状部材と、前記半導体素子及び前記枠状部材の上部を覆うように配設され、第2の接着剤により前記半導体素子及び前記枠状部材に接着されるプレート状部材とを具備する半導体装置において、前記枠状部材が、加熱時における前記基板の熱膨張による変形、及び前記プレート状部材の熱膨張による変形を共に阻止しうる剛性を有する構成としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/14

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/14 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-104879   出願人：富士通株式会社
• チップ・キャリア・モジュール及びその生成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-151376   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション