特許
J-GLOBAL ID：200903094985035520

エネルギー障壁を有するへテロ接合トランジスタおよび関連する方法

発明者：
アダム ウィリアム ザクスラー

アダム ウィリアム ザクスラー について

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ウー イーフェン

ウー イーフェン について

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プリミット パリーク

プリミット パリーク について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-335974
公開番号（公開出願番号）：特開2007-221100
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】チャネル内へのキャリアの閉じ込めを改善すること。【解決手段】へテロ接合トランジスタは、III族窒化物を含むチャネル層と、チャネル層の上のIII族窒化物を含む障壁層と、チャネル層が障壁層とエネルギー障壁との間にあるようにした、チャネル層の上のインジウムを有するIII族窒化物の層を含むエネルギー障壁とを備えることができる。障壁層は、チャネル層よりも大きなバンドギャップを有することができ、エネルギー障壁のインジウム(In)の濃度はチャネル層のインジウム(In)の濃度よりも高い可能性がある。関連した方法も検討されている。【選択図】図19
請求項（抜粋）：
ヘテロ接合トランジスタであって、 III族窒化物を含むチャネル層と、 前記チャネル層の上のIII族窒化物を含む障壁層であって、前記チャネル層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する障壁層と、 前記チャネル層の上のインジウムを含むIII族窒化物の層を備えるエネルギー障壁であって、前記チャネル層は前記障壁層と前記エネルギー障壁との間にあるエネルギー障壁と を備え、前記エネルギー障壁のインジウム(In)の濃度が前記チャネル層のインジウム(In)の濃度よりも高いことを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (19件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM09 ,  5F102GQ04 ,  5F102GS04 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC04
引用特許：
出願人引用 (16件)
  • 米国特許第6,316,793号明細書
  • 米国特許出願第09/904,333号明細書
  • 米国仮出願第60/290,195号明細書
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審査官引用 (2件)

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