特許
J-GLOBAL ID：200903023106692268

へテロ接合トランジスタ及びその製造方法

発明者：
アダム ウィリアム サックスラー

アダム ウィリアム サックスラー について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-550289
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512327
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタは、基板及び基板上のAlGaN層のような第1のIII族窒化物を備えている。第1のIII族窒化物層は、関連した第1の歪みを有する。GaN層のような第2のIII族窒化物層が、第1のIII族窒化物層上に設けられている。第2のIII族窒化物層は、第1のIII族窒化物層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ関連した第2の歪みを有する。第2の歪みは、第1の歪みの大きさよりも大きな大きさを有する。AlGaN層又はAlN層のような第3のIII族窒化物層がGaN層上に設けられている。第3のIII族窒化物層は、第2のIII族窒化物層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ関連した第3の歪みを有する。第3の歪みは第2の歪みと逆の歪みの型である。ソースコンタクトとドレインコンタクトとゲートコンタクトを第3のIII族窒化物層上に設けることができる。AlGaN下部閉込め層と下部閉込め層上のGaNチャネル層とチャネル層上のAlGaN障壁層とを有し、障壁層が下部閉込め層よりも高いアルミニウム濃度を有する窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタが提供される。またヘテロ接合トランジスタの製造方法も提供される。
請求項（抜粋）：
窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタであって、 基板と、 該基板上に設けられ、第1の歪みを有する第1のAlGaN層と、 該第1のAlGaN層上に設けられ、該第1のAlGaN層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ前記第1の歪みの大きさよりも大きい大きさの第2の歪みを有するGaN層と、 前記第1のAlGaN層の反対側で、前記GaN層上に設けられ、該GaN層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ前記第2の歪みと逆の歪みの型である第3の歪みを有する第2のAlGaN層と を備えたことを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (23件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GL09 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR06 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (14件)
  • 米国特許第5,192,987号明細書
  • 米国特許第5,523,589号明細書
  • 米国特許第5,292,501号明細書
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審査官引用 (7件)
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