特許
J-GLOBAL ID：200903094660240870

電荷移動誘起エネルギー障壁を有する窒化物へテロ接合トランジスタおよびその製造方法

発明者：
アダム ウィリアム サクスラー

アダム ウィリアム サクスラー について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-552098
公開番号（公開出願番号）：特表2007-535138
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
窒化物ベースの電界効果トランジスタは、 基板と、基板の上に形成されたInAlGaNを備えるチャネル層と、チャネル層と電気的に連絡しているソースおよびドレインオーミックコンタクトと、チャネル層の上に形成されたゲートコンタクトとを備える。少なくとも1つのエネルギー障壁が、チャネル層から離れるキャリアの動きに逆らう。エネルギー障壁は、チャネルから離れる方向に向けられた関連した電界を生成する正孔供給源層に近接した電子供給源層を備えることができる。いくつかの実施形態に従ったエネルギー障壁は、約0.5eVを超える拡散電位障壁を実現することができる。方法の実施形態もまた開示されている。
請求項（抜粋）：
高周波動作が可能な窒化物ベースのHEMTであって、 基板と、 前記基板の上のInAlGaNを含むチャネル層と、 前記チャネル層の上のInAlGaNを含む障壁層であって、前記チャネル層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、前記チャネル層と前記障壁層との間の界面に前記障壁層と前記チャネル層が協働して2次元電子ガスを誘起する障壁層と、 前記障壁層および/または前記チャネル層の1つに隣接した少なくとも1つのエネルギー障壁であって、正孔供給源層に近接した電子供給源層を備えるエネルギー障壁と を備えることを特徴とする窒化物ベースのHEMT。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (18件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03
引用特許：
出願人引用 (14件)
  • 米国特許第6,316,793号明細書
  • 米国特許出願第09/904,333号明細書
  • 米国仮出願第60/290,195号明細書
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM