特許

J-GLOBAL ID：200903095002860577

原子層成長による量子細線および量子箱の形成方法

発明者： 一色 秀夫 ,  岩井 荘八 ,  青柳 克信 ,  菅野 卓雄
出願人/特許権者： 理化学研究所
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097071
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 面方位による成長速度の差を大きくすることができるとともに異常成長の発生等がなく、従来に較べて形状制御性を向上させることができ、良好な形状の量子細線および量子箱を形成することのできる原子層成長による量子細線および量子箱の形成方法を提供する。【構成】 エッチングにより基板3上に凹部を形成し、この基板3を真空容器1内のサセプタ2上に載置し、ランプ6でこの基板3を所定温度に加熱する。そして、バルブ7を開閉し、交互に原料ガスを供給して原子層成長により基板3の凹部内に量子細線および量子箱を形成する。

請求項（抜粋）：

面方位を有する基板の結晶面に選択的に薄膜を形成し、量子細線および量子箱を形成するにあたり、それぞれ薄膜を構成する異なった原料物質を含む少なくとも2種類の原料ガスを所定の時間間隔を設けて交互に供給するとともに、成長温度を所望の結晶面にのみ選択的に原子層成長が行われる温度に設定して、所望の結晶面にのみ原子層成長により選択的に薄膜を形成することを特徴とする原子層成長による量子細線および量子箱の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-235702   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開平2-163928