特許
J-GLOBAL ID:200903095009867615

半導体圧力センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安藤 淳二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-337489
公開番号(公開出願番号):特開2000-162076
出願日: 1998年11月27日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】 金属パイプとガラス台座の接合に際し、ガラス台座にクラックが発生することのない半導体圧力センサを提供する。【解決手段】 凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラム1aを有する半導体圧力センサチップ1とダイアフラム1aに圧力を導入するための貫通孔2aが形成された台座2とを接合し、台座2の半導体圧力センサチップ1との接合面と反対側の面にはメタライズ層8を形成し、メタライズ層8を介してパッケージの金属パイプ4と半田接合してなる半導体圧力センサにおいて、メタライズ層8の上に5〜30μmの厚さのAuメッキ層11を形成してなる。
請求項(抜粋):
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチップと前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔が形成された台座とを接合し、該台座の前記半導体圧力センサチップとの接合面と反対側の面にはメタライズ層を形成し、該メタライズ層を介してパッケージの金属パイプと半田接合してなる半導体圧力センサにおいて、前記メタライズ層の上に5〜30μmの厚さのAuメッキ層を形成してなることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件):
G01L 19/14 ,  G01L 9/04 ,  H01L 29/84
FI (3件):
G01L 19/14 ,  G01L 9/04 ,  H01L 29/84 B
Fターム (11件):
2F055CC02 ,  2F055DD04 ,  2F055EE15 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG25 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA15 ,  4M112DA18 ,  4M112GA01
引用特許:
審査官引用 (3件)

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