特許
J-GLOBAL ID：200903095086275321

二次元画像検出器

発明者：
和泉 良弘

和泉 良弘 について

, 
寺沼 修

寺沼 修 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-265325
公開番号（公開出願番号）：特開2000-097771
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 対向基板と、アクティブマトリクス基板とを異方導電性接着剤で貼り合わせた構造の二次元画像検出器において、アクティブマトリクス基板の電極配線に発生する寄生容量を抑制することができる二次元画像検出器を提供する。【解決手段】 アクティブマトリクス基板1と対向基板2とを絶縁性接着剤7中に導電粒子8が分散されてなる異方導電性接着剤3によって接続する。この時、上記対向基板2には、上記アクティブマトリクス基板1との対向面上に、上記アクティブマトリクス基板1上の電荷蓄積容量4(の画素電極)と対向して突起電極6が形成され、上記突起電極6は、アクティブマトリクス基板1上の電極配線およびスイッチング素子(TFT5)と重ならない領域に形成される。
請求項（抜粋）：
格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して上記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、上記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、上記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えている二次元画像検出器において、上記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、上記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、上記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、上記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置され、上記両基板は、絶縁性の接着剤中に導電粒子が分散されてなり画素配列層および半導体層の対向面の法線方向にのみ導電性を有する異方導電性接着剤によって接続されていると共に、上記対向基板には、上記アクティブマトリクス基板との対向面上に上記アクティブマトリクス基板上の各画素電極と対向して突起電極が形成され、上記突起電極は、アクティブマトリクス基板上の電極配線と重ならない領域に形成されることを特徴とする二次元画像検出器。
IPC (3件)：
G01J 1/44 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/09
FI (3件)：
G01J 1/44 N ,  H01L 27/14 F ,  H01L 31/00 A
Fターム (36件)：
2G065AB02 ,  2G065AB04 ,  2G065BA02 ,  2G065BA09 ,  2G065BA34 ,  2G065CA12 ,  2G065DA20 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB14 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  4M118HA24 ,  5F088AA11 ,  5F088AB09 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088BB10 ,  5F088CB04 ,  5F088CB14 ,  5F088CB15 ,  5F088EA08 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088HA20 ,  5F088KA10 ,  5F088LA08
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 積層型固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-025804   出願人：日本放送協会, オリンパス光学工業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-078021   出願人：キヤノン株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316271   出願人：株式会社日立製作所, 日本放送協会

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