特許
J-GLOBAL ID:200903095088979555

多層配線基板とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 広瀬 章一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-302165
公開番号(公開出願番号):特開平11-145621
出願日: 1997年11月04日
公開日(公表日): 1999年05月28日
要約:
【要約】【課題】 上部に一体に形成されたランド部を持つ円柱形のビアが上下に重なった、配線の高密度化が可能な多層配線基板を、研磨工程が不要の簡略化された工程で製造する。【解決手段】 導体パターン4とランド部5が形成された絶縁基板1の上に絶縁樹脂層2を形成し、この樹脂層2にランド部5が露出するようにアスペクト比が 0.5〜2の貫通孔を形成し、樹脂層の上面と貫通孔の内面を無電解めっきにより銅薄膜6で被覆した後、その上にレジストパターン17を形成し、硫酸銅/硫酸の重量比が0.15〜0.33の硫酸銅めっき浴を用いた電解銅めっきにより、貫通孔の充填し、さらにレジスト層と同平面になるまで上面が平坦なめっき層7、8を形成し、レジスト17とその下の銅薄膜16を除去する。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に層間に絶縁樹脂層を介して配線層が多層に形成され、かつ異なる層の配線層がその間の絶縁層を貫通するビアにより電気的に接続されている多層配線基板において、隣接する少なくとも2層の絶縁層を貫通するビアが上下に1列に整列し、各ビアがテーパーを有しない円筒形状であって、その上部にランド部を有し、ビアとその上部のランド部とがめっきにより一体に形成されていることを特徴とする、多層配線基板。
FI (3件):
H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る