受光素子及びそれを備える光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159229
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176194
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】受光素子の出力特性を良好に維持し、放熱性が良く、静電気破壊が生じにくく、受光素子及びそれを備える光半導体装置を提供する。【解決手段】上面に発光素子配置用の電極10と受光領域4を備える受光素子1であって、前記素子配置用電極10の縁に沿って高濃度不純物層11を形成した。

請求項（抜粋）：

上面に発光素子配置用の電極と受光領域を備える受光素子であって、前記素子配置用電極の縁に沿って高濃度不純物層を形成したことを特徴とする受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/12 , H01S 5/022

FI (2件)：

H01L 31/12 H , H01S 5/022

Fターム (13件)：

5F073EA15 , 5F073EA28 , 5F073FA02 , 5F073FA13 , 5F073FA27 , 5F073FA28 , 5F073GA01 , 5F073GA34 , 5F089AB08 , 5F089AC10 , 5F089CA07 , 5F089CA15 , 5F089CA20

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-208658 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-200581
特開2051-237492

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審査官引用 (7件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-208658 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-200581
特開2051-237492

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