特許

J-GLOBAL ID：200903095149162972

電力用半導体素子

発明者： 齋藤 渉 ,  大村 一郎 ,  木下 浩三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-279463
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119611
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】高耐圧で、且つ、低オン抵抗のパワーMOSFETを提供する。【解決手段】スーパージャンクション構造を有するパワーMOSFETにおいて、pリサーフ層4の不純物濃度を深さ方向に小さくしていく分布(傾斜プロファイル)を持たせることにより、pリサーフ層4の不純物量とn-ドリフト層3の不純物量とのアンバランス量に対する耐圧低下を従来よりも小さくする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層と第2導電型の第2の半導体層とが横方向に周期的に形成された半導体層を含む電力用半導体素子であって、 前記第1の半導体層の縦方向における不純物量の分布と前記第2の半導体層の縦方向における不純物量の分布とが異なる ことを特徴とする電力用半導体素子。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 658A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-132252   出願人：富士電機株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-074951   出願人：富士電機ホールディングス株式会社