特許

J-GLOBAL ID：200903095155610146

基板処理方法および装置

発明者： 辻 雅夫 ,  大谷 正美 ,  今西 保夫 ,  岩見 優樹 ,  西村 譲一 ,  森田 彰彦 ,  川本 隆範
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143507
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321516
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 表面にレジスト膜が形成された基板を露光処理直後に加熱処理し現像処理する場合に、基板表面に形成されたレジスト膜の厚さが変動しても、現像処理後の基板表面に形成されたレジスト膜のパターンの線幅が複数の基板間でばらつくことを無くする装置を提供する。【解決手段】 塗布処理部SCにより基板の表面に形成されたレジスト膜の厚さを測定する膜厚測定部TMを設け、複数の基板間でのレジスト膜の厚さの変動にかかわらず現像処理部SD1、SD2で所定の現像処理結果が得られるように、露光処理部STで露光処理した後に基板を加熱処理するベーク部PEBでの加熱処理の時間または温度を測定された膜厚に応じて制御する。

請求項（抜粋）：

表面に感光性樹脂被膜が形成された基板を露光処理後、現像処理前に加熱処理する基板処理方法において、基板の表面に形成された前記感光性樹脂被膜の厚さを測定し、その測定結果に応じて露光処理後、現像処理前の加熱処理の時間および/または温度を制御して、複数の基板間での感光性樹脂被膜の厚さの変動にかかわらず所定の現像処理結果が得られるようにすることを特徴とする基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/30 568 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/30 502 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 露光パターン形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048909   出願人：株式会社日立製作所
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-261797   出願人：株式会社東芝