特許
J-GLOBAL ID:200903095178424285
スリット入り回路基板及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-361870
公開番号(公開出願番号):特開2005-129625
出願日: 2003年10月22日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】セラミックス基板の一主面に金属回路、他の主面に金属放熱板を形成させてなるパワーモジュール用セラミックス回路基板に関して、半田付け後の反りや、環境温度の変化に伴うモジュールの変形がない集約化された大型化基板を提供する。【解決手段】セラミックス回路基板の回路面側、または両主面に分割溝を設け、分割溝が回路パターン端部より1.0mm以上の距離にあり、且つ、分割溝の底部肉厚が0.2〜0.5mmであることを特徴とするスリット入り回路基板により、上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
セラミックス回路基板の回路面側、または両主面に分割溝を設けてなり、分割溝が回路パターン端部より1.0mm以上の距離にあり、且つ、分割溝の底部肉厚が0.2〜0.5mmであることを特徴とするスリット入り回路基板。
IPC (5件):
H05K1/02
, H01L23/12
, H01L23/13
, H05K3/00
, H05K3/06
FI (6件):
H05K1/02 G
, H05K3/00 X
, H05K3/06 A
, H01L23/12 J
, H01L23/12 C
, H01L23/12 D
Fターム (14件):
5E338AA02
, 5E338AA18
, 5E338BB31
, 5E338BB47
, 5E338CD23
, 5E338EE32
, 5E338EE33
, 5E339AB06
, 5E339AD03
, 5E339AE02
, 5E339BC02
, 5E339BC03
, 5E339BD11
, 5E339BE13
引用特許:
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