特許
J-GLOBAL ID：200903095230490909

半導体光素子とその製造方法

発明者：
佐久間 康

佐久間 康 について

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元田 勝也

元田 勝也 について

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内田 憲治

内田 憲治 について

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鷲野 隆

鷲野 隆 について


出願人/特許権者：
日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-189231
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013183
出願日： 2004年06月28日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 有機材料膜のドライエッチング工程において、半導体基板上に残存する反応生成物を容易に除去する。【解決手段】 有機材料膜のドライエッチング工程において、反応生成物を除去する目的でエッチングガスに添加されているフッ素系ガスのほかに、下部電極またはウェハ搬送用トレー上に設置された半導体基板の周辺に、フッ素を含有した部材を設け、部材自体からプラズマ中にフッ素(フッ素ラジカル)を生成させることで、半導体基板上に堆積した反応生成物を効率的かつ安定的に除去することができ、高品質な半導体光素子を実現できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上にリッジ導波路を形成する工程と、 前記リッジ導波路を含む前記半導体基板上にパッシベーション膜を形成する工程と、 該パッシベーション膜上に有機材料膜を形成する工程と、 前記半導体基板をドライエッチング装置の下部電極に載置してエッチングにより前記リッジ導波路の溝部以外の前記有機材料膜を除去すると共に、前記下部電極の基板載置面の外側周辺に配置されたフッ素含有部材からプラズマ中に生成されるフッ素ラジカルにより、前記有機材料膜の除去に伴い前記半導体基板上に堆積する反応生成物を除去する工程と、 該有機材料膜除去の工程に引き続いて、ドライエッチングにより前記リッジ導波路における前記パッシベーション膜を除去する工程と、 前記パッシベーション膜の除去された領域に電極を形成する工程、 とを含むことを特徴とする半導体光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/223 ,  H01L 31/10 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01S5/223 ,  H01L31/10 A ,  H01L21/302 104H
Fターム (29件)：
5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB25 ,  5F004EB08 ,  5F049NA08 ,  5F049NB01 ,  5F049PA14 ,  5F049PA18 ,  5F049PA20 ,  5F049TA14 ,  5F173AA05 ,  5F173AA46 ,  5F173AD12 ,  5F173AF97 ,  5F173AH14 ,  5F173AK04 ,  5F173AL15 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36 ,  5F173AP47 ,  5F173AP92 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR23 ,  5F173AR92
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平3-177020号公報
審査官引用 (4件)
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