特許

J-GLOBAL ID：200903019776473667

マイクロ波を用いた大気圧プラズマ処理方法及び装置

発明者： 竹井 日出夫 ,  崎尾 進 ,  石橋 暁 ,  石川 道夫
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (4件)： 八木田 茂 ,  浜野 孝雄 ,  森田 哲二 ,  平井 輝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-183272
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031509
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】安定した放電が得られ、ヘリウムガス等のキャリアガスの必要量も大幅に削減できるマイクロ波を用いた大気圧プラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ波を用いた大気圧プラズマ処理方法は、処理チャンバ内を10Torr〜700Torrに減圧した状態で、マイクロ波を処理チャンバ内に導入してグロー放電を生じさせ、その後処理チャンバ内を大気圧に戻して基板をプラズマ処理するように構成される。また、本発明のマイクロ波を用いた大気圧プラズマ処理装置は、処理チャンバ内を放電開始時に10Torr〜700Torrに減圧できる排気ポンプ手段を処理チャンバに設け、処理チャンバの壁の少なくとも一部を誘電体で構成し、マイクロ波発振器から導波管及び処理チャンバの誘電体壁を介して処理チャンバ内にマイクロ波を導入するように構成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

減圧可能な処理チャンバ内に、マイクロ波及び処理ガスを導入してグロー放電プラズマを形成し、大気圧下で基板をプラズマ処理するマイクロ波を用いた大気圧プラズマ処理方法において、処理チャンバ内を10Torr〜700Torrに減圧した状態で、マイクロ波を処理チャンバ内に導入してグロー放電を生じさせ、その後処理チャンバ内を大気圧に戻して基板をプラズマ処理することを特徴とするマイクロ波を用いた大気圧プラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

FI (4件)：

H01L21/302 101E ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 C ,  H05H1/46 B

Fターム (29件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  5F004AA16 ,  5F004BA16 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29 ,  5F004BC02 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA09 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F045AA08 ,  5F045AE29 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EF05 ,  5F045EH03 ,  5F045EH09

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 誘電体窓を用いたマイクロ波プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096628   出願人：キヤノン株式会社
• プラズマCVD法による薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-086673   出願人：キヤノン株式会社
• マイクロ波プラズマの製造方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-504790   出願人：イーエーテクノロジーリミテッド
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-227832   出願人：積水化学工業株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-143712   出願人：松下電工株式会社
• 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-248043   出願人：積水化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• インターユニバーシティ プラズマエレクトロニクス, 20000825, 第1版第1刷, pp.86-91
• インターユニバーシティ プラズマエレクトロニクス, 20000825, 第1版第1刷, pp.86-91
• インターユニバーシティ プラズマエレクトロニクス, 20000825, 第1版第1刷, pp.86-91