特許

J-GLOBAL ID：200903095234046558

半導体ウェハの加工装置

発明者： 狛 豊 ,  有田 潔 ,  土師 宏 ,  岩井 哲博
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068229
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257247
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハの破損を防止して加工歩留まりを向上させるとともに、設備のコンパクト化が可能な半導体ウェハの加工装置を提供すること。【解決手段】 機械研磨とドライエッチングを併用して半導体ウェハを目標厚さに薄化加工する半導体ウェハの加工装置において、半導体ウェハを機械研磨する研磨部6と、研磨後の半導体ウェハを洗浄するウェハ洗浄部10と、洗浄後の半導体ウェハをドライエッチングするプラズマ処理部4A,4Bを配設し、前記各部間での半導体ウェハのハンドリングを行う極座標系のロボット機構を有するウェハ搬送部3とともにウェハハンドリング手段を構成し研磨部6へのウェハの搬出入を行うウェハ搬入部9A、ウェハ搬出部9Bを同一装置内に備えた。これにより、半導体ウェハの受け渡しのための持ち換え回数を減少させて半導体ウェハの破損を防止できるとともに、設備のコンパクト化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

機械研磨によって半導体ウェハの表面を研磨し、次いで研磨された面をドライエッチングすることにより前記半導体ウェハを目標厚さに薄化加工する半導体ウェハの加工装置であって、前記半導体ウェハを機械研磨する研磨手段と、研磨後の半導体ウェハを洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウェハをドライエッチングするドライエッチング手段と、前記研磨手段、洗浄手段およびドライエッチング手段の間での半導体ウェハの受け渡しを行うウェハハンドリング手段とを備えたことを特徴とする半導体ウェハの加工装置。

IPC (7件)：

H01L 21/68 ,  B65G 49/07 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 648 ,  H01L 21/306

FI (7件)：

H01L 21/68 A ,  B65G 49/07 G ,  H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/304 622 L ,  H01L 21/304 648 J ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/306 J

Fターム (40件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB20 ,  5F004BB25 ,  5F004BC06 ,  5F004CA05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F031CA02 ,  5F031DA17 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031FA20 ,  5F031GA24 ,  5F031GA45 ,  5F031GA47 ,  5F031GA49 ,  5F031HA13 ,  5F031HA34 ,  5F031HA38 ,  5F031HA59 ,  5F031HA60 ,  5F031KA03 ,  5F031MA04 ,  5F031MA22 ,  5F031MA23 ,  5F031MA32 ,  5F031NA05 ,  5F043DD02 ,  5F043DD15 ,  5F043DD16 ,  5F043DD23 ,  5F043DD30 ,  5F043EE36 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェーハの研磨システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-086769   出願人：株式会社ディスコ
• 特開平3-024730
  
• 研削システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-166926   出願人：株式会社ディスコ
• 特開平3-024730