特許

J-GLOBAL ID：200903095241276828

キャパシタ及びこれを用いた半導体装置

発明者： 清水 達雄 ,  尾原 亮一 ,  福島 伸 ,  川久保 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200382
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026284
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 耐酸化性・耐還元性の面で熱力学的に安定であり、かつ電極やバリアー層として用いた時に膜剥がれ・膨れなどの起こらない導電性酸化物を有するキャパシタを提供すること。【解決手段】 半導体基板上に順に積層された第1の電極、ペロブスカイト型構造の誘電体膜、及び第2の電極を具備するキャパシタであって、前記第1の電極及び第2の電極の少なくとも一つが、(BauSrvCaw)(TixNbyVz)O3(ここで、u+v+w=1、u≧0、v≧0、w≧0であり、かつx+y+z=1、0.2≦x≦0.75、y≧0.05、z≧0.05である。)で表されるペロブスカイト型構造の導電性酸化物膜からなることを特徴とする。耐酸化性・耐還元性に優れ、十分な導電性を有し、かつ膜剥がれ・膨れなどの起こらない導電性酸化物によりキャパシタ性能が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順に積層された第1の電極、ペロブスカイト型構造の誘電体膜、及び第2の電極を具備するキャパシタであって、前記第1の電極が、(BauSrvCaw)(TixNbyVz)O3(ここで、u+v+w=1、u≧0、v≧0、w≧0であり、かつx+y+z=1、0.2≦x≦0.75、y≧0.05、z≧0.05である。)で表されるペロブスカイト型構造の導電性酸化物膜からなることを特徴とするキャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01G 4/12 397 ,  H01L 27/10 444 B ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C

Fターム (42件)：

5E001AB06 ,  5E001AC04 ,  5E001AC09 ,  5E001AH00 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AZ01 ,  5E082AB03 ,  5E082BB10 ,  5E082BC40 ,  5E082EE05 ,  5E082EE18 ,  5E082EE19 ,  5E082EE27 ,  5E082EE31 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG41 ,  5E082FG42 ,  5E082KK01 ,  5E082MM24 ,  5E082PP03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-032170   出願人：株式会社東芝
• 強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-055951   出願人：三菱化学株式会社