単結晶の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-268788
公開番号（公開出願番号）：特開平8-133886
出願日： 1994年11月01日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】【目的】酸素濃度が低く、かつ引上げ方向の酸素濃度分布が均一な単結晶の製造方法を提供する。【構成】坩堝内の溶融液の上方であって、単結晶の引上げ域の周囲に輻射熱遮断スクリーンを配設して単結晶を製造する方法において、単結晶の引上げ初期段階には引上炉内を低圧力雰囲気にするとともに坩堝の回転を低速にして、単結晶の引上げの進行に応じて引上炉内の圧力を高めて行き、引上炉内が所定の高圧力雰囲気に到達した後、坩堝の回転を増加させて行くことを特徴とする単結晶の製造方法。上記の低圧力雰囲気における初期設定の引上炉内圧力は5〜10Torrとし、高圧力雰囲気における引上炉内圧力は25〜40Torrとするのが好ましい。さらに、単結晶の引上げ初期段階には坩堝の回転を0〜5rpm の低速にして、引上炉内が所定の高圧力雰囲気に到達した後、坩堝の回転を6〜20rpm の範囲に増加させることが好ましい。

請求項（抜粋）：

単結晶の引上げ域の周囲に輻射熱遮断スクリーンを配設して単結晶を製造する方法において、単結晶の引上げ初期段階には引上炉内を低圧力雰囲気にするとともに坩堝の回転を低速にして、単結晶の引上げの進行に応じて引上炉内の圧力を高めて行き、引上炉内が所定の高圧力雰囲気に到達した後、坩堝の回転を増加させて行くことを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 15/20 , C30B 15/00 , C30B 29/06 502

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平1-160893
特開昭64-061383
シリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-236630 出願人：新日本製鐵株式会社, ニツテツ電子株式会社

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審査官引用 (3件)

特開平1-160893
特開昭64-061383
シリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-236630 出願人：新日本製鐵株式会社, ニツテツ電子株式会社

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