特許
J-GLOBAL ID：200903095267010893
半導体集積回路およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265721
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093973
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 配線となる導電層を含む層状部分が、有機高分子膜を主材料とする第一絶縁層を介在して多層的に形成された多層配線構造において、横方向エッチングによって導電層間を絶縁する第二絶縁層に太鼓形状が生じることを防止し、低コストで高性能な半導体集積回路およびその製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明に基づく半導体集積回路は、第一絶縁層26が有機高分子膜1aと窒化シリコン膜2aとからなり、第二絶縁層27は、シリコーン高分子膜3と窒化シリコン膜2bとからなる。また、好ましくは、機械的強度向上のために第二絶縁層27が酸化シリコン膜を含むものとする。
請求項（抜粋）：
下部導電層と、前記下部導電層の上に設けられる第一絶縁層と、前記第一絶縁層の上に設けられる上部導電層と、前記第一絶縁層の上において、前記上部導電層の間を埋めるように設けられ、前記第一絶縁層とは異なる材料を含む第二絶縁層と、前記第一絶縁層中に設けられ、前記下部導電層と前記上部導電層とを電気的に絶縁する層間接続部とを備える、半導体集積回路。
Fターム (31件)：
5F033HH11
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ11
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033KK11
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP15
, 5F033PP26
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ11
, 5F033QQ35
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR22
, 5F033RR23
, 5F033RR24
, 5F033SS15
, 5F033SS21
, 5F033TT04
, 5F033XX02
