特許
J-GLOBAL ID：200903095294968276

積層膜、その形成方法及び半導体装置

発明者：
溝渕 孝一

溝渕 孝一 について

, 
杉浦 俊弘

杉浦 俊弘 について


出願人/特許権者：
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261587
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094515
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【構成】 下層膜(CVD-W膜)33と上層膜(Al合金膜)12との積層構造からなり、前記下層膜の表面粗さ(Ra)が 100Å以下とされ、この表面上に形成された前記上層膜の結晶配向が制御されている積層膜からなる配線、そのCVD法及び半導体装置。【効果】 下層膜と上層膜とが格子整合しない場合でも、上層膜の結晶配向を目的とするもの(アルミニウム膜であれば、(111)面)に十分に制御でき、特に、バリヤ機能と共にEM耐性等の十分な積層膜を成膜性良く容易に形成することができる。
請求項（抜粋）：
下層膜と上層膜との積層構造からなり、前記下層膜の表面粗さ(Ra)が 100Å以下とされ、この表面上に形成された前記上層膜の結晶配向が制御されている積層膜。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (2件)：
H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 N
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-002571   出願人：株式会社東芝
  • 特開平3-225822
  • 特開平3-225822
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