特許

J-GLOBAL ID：200903095297954837

シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム

発明者： 松浦 廣行
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-197283
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019145
出願日： 2005年07月06日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】 低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができるシリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。【解決手段】 まず、反応管2内にDCSを供給し、半導体ウエハWにDCSを吸着させる。次に、反応管2内に酸素ラジカルを供給して、吸着したDCSを酸化させ、半導体ウエハWにシリコン酸化膜を形成する。続いて、反応管2内にアンモニアラジカルを供給して、形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、半導体ウエハWにシリコン酸窒化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン酸窒化膜を形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、前記被処理体に前記ジクロロシランを吸着させる吸着ステップと、 前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給し、前記吸着ステップで吸着されたジクロロシランを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、 前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給し、前記シリコン酸化膜形成ステップで形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成ステップと、を備え、 前記吸着ステップと、前記シリコン酸化膜形成ステップと、前記シリコン酸窒化膜形成ステップとを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン酸窒化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/318 C ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 B

Fターム (32件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045EH18 ,  5F058BA09 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-073145   出願人：株式会社日立国際電気

審査官引用 (1件)

• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-172438   出願人：東京エレクトロン株式会社