特許

J-GLOBAL ID：200903095303748179

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中川 秀夫 ,  玉岡 英二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350992
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158280
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 エアギャップを有する金属配線構造を備えた半導体装置の配線間容量を確実に低減できるようにする。【解決手段】 半導体基板100上に設けられた下層の層間絶縁膜101の上に複数の金属配線113が形成されている。複数の金属配線113を覆うように上層の層間絶縁膜114が設けられ、該上層の層間絶縁膜114は、複数の金属配線113同士の間にエアギャップ115を有している。エアギャップ115の頂部115bは、複数の金属配線113よりも上方に位置している。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた下層の層間絶縁膜の上に形成された複数の金属配線と、前記複数の金属配線を覆うように設けられ、前記複数の金属配線同士の間にエアギャップを有する上層の層間絶縁膜とを備え、前記エアギャップの頂部は、前記複数の金属配線よりも上方に位置していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/312 N ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 S

Fターム (54件)：

5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033KK07 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX25 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BD19 ,  5F058BF02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH12 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229705   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157854   出願人：日本電気株式会社
• 多層配線を有する半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-126795   出願人：松下電子工業株式会社