特許

J-GLOBAL ID：200903095319451206

半導体ウェハ又は液晶用基板のアニール装置

発明者： 村山 隆彦 ,  川上 隆介 ,  山本 直矢 ,  渡辺 智之 ,  芳之内 淳
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295197
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064370
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 液晶表示装置に使用するガラス等の透明板にポリシリコン又はアモルファスシリコンの薄膜を形成させた液晶基板、又は半導体製造に使用するシリコン等のウェハ(以下、「基板」という)を密閉可能な容器内に収納し、高温ガスによりアニール処理するアニール装置において、後段のウェット処理による問題を回避しながら、アニール処理時に、基板の表面に付着するパーティクル量を容易に減少させることにより、高性能の液晶・半導体素子を製造できるアニール方法を提供する。【解決手段】 容器内側に、セラミックスをコーティングする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

液晶用又は半導体製造用基板を密閉可能な容器内に収納し、高温ガスによりアニール処理するアニール装置において、 容器内面に、セラミックスをコーティングしたことを特徴とする半導体ウェハ又は液晶用基板のアニール装置。

IPC (4件)：

H01L21/324 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31

FI (4件)：

H01L21/324 G ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31 E

Fターム (21件)：

2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA25 ,  2H092MA26 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC00 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC05 ,  5F052AA11 ,  5F052CA02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• レーザー装置及びレーザーアニール方法並びに半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-243525   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-307876   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所