特許
J-GLOBAL ID：200903095332927678

半導体レーザ

発明者：
渡辺 昌規

渡辺 昌規 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128767
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335973
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 活性層116から自然放出される光を高い反射率で活性層側に反射して、自然放出光のフォトンリサイクルを効果的に行うことができ、しかも該反射を行う全反射層114,121を抵抗増大のない単純な構造とでき、これにより、製造プロセスの複雑化を招くことなく、電流利用効率の高効率化を図った半導体レーザ101を提供する。【構成】 活性層116上下のクラッド層115,118の外側に、屈折率が該クラッド層の屈折率より小さい全反射層114,121を該クラッド層に接触させて配設した。
請求項（抜粋）：
レーザ光の発生領域となる活性層と、該活性層内に光を閉じ込めるための、該活性層より発した光に対して透明な透光層と、該透光層の、該活性層と反対側に該透光層に接して設けられ、該透光層の屈折率より小さい屈折率を有する全反射層とを備え、該活性層を発し該全反射層で反射された光の少なくとも一部が該活性層に戻るよう構成した半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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