特許

J-GLOBAL ID：200903095336193873

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 菅田 安洋
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 児玉 俊英 ,  大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-165477
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014763
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】下層配線層と上層アルミ配線層とが、タングステンプラグにより接続された半導体装置の配線構造において、高温アルミ成膜法により形成する上層アルミ配線層を、成膜時の良好な流動性にて、カバレジ特性および表面平坦性の向上を図る。【解決手段】下層配線層3に達する接続孔5内および層間絶縁膜4表面にバリアメタル層(TiN膜/Ti膜)6を介してタングステン膜7aを成膜し、全面エッチバックによりタングステンプラグ7を形成して層間絶縁膜4上のバリアメタル層6を露出させる。次いで、第2のTiN膜6aを形成してエッチングダメージによる表面状態を改善した状態で、上層アルミ膜9を高温アルミ成膜法により成膜する。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、下層配線層と該下層配線層上に絶縁層を介して形成されたアルミを含む上層アルミ配線層とが、タングステンプラグにより接続された配線構造を有する半導体装置の製造方法において、上記絶縁層を形成した後、上記半導体基板裏面に形成された絶縁膜を除去し、その後、高温アルミ成膜法により300〜500°Cの成膜温度で上記上層アルミ配線層を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/88 N ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 A

Fターム (55件)：

4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH05 ,  4M104HH12 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK03 ,  5F033KK07 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ98 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28 ,  5F033XX31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-204720   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-234753   出願人：富士通株式会社