特許

J-GLOBAL ID：200903095338223788

CVD反応室のクリーニング装置

発明者： 金沢 正仁
出願人/特許権者： 株式会社日本製鋼所
代理人 (6件)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  中村 礼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-341432
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109194
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】CVD反応室内の副生成物を効率よくクリーニングすることのできるCVD反応室のクリーニング装置を提供する。【解決手段】原料ガスを噴射する原料ガス噴射口を有するシャワーヘッドと、シャワーヘッドに対向配置されたステージとを有するCVD反応室内をクリーニングする装置であって、CVD反応室外に配設され、CVD反応室内の副生成物をクリーニングするためのクリーニングガスをプラズマ化するためのリモートプラズマ発生手段と、前記ステージの半導体製品搭載面に開口され、前記リモートプラズマ発生手段から送出されるクリーニングガスをCVD反応室内に導入するためのステージ側クリーニングガス導入口と、前記シャワーヘッドの前記原料ガス噴射口より内側に設けられ、CVD反応室内の副生成物をクリーニングすることにより発生する副生成物ガスを排気するためのシャワーヘッド側副生成物ガス排気口とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体製品生成用の原料ガスを噴射する原料ガス噴射口を有するシャワーヘッドと、このシャワーヘッドに対向配置されて半導体製品を搭載するステージとを有するCVD反応室内をクリーニングするCVD反応室のクリーニング装置であって、 CVD反応室外に配設され、CVD反応室内の副生成物をクリーニングするためのクリーニングガスをプラズマ化するためのリモートプラズマ発生手段と、 前記ステージの半導体製品搭載面に開口され、前記リモートプラズマ発生手段から送出されるクリーニングガスをCVD反応室内に導入するためのステージ側クリーニングガス導入口と、 前記シャワーヘッドの前記原料ガス噴射口より内側に設けられ、CVD反応室内の副生成物をクリーニングすることにより発生する副生成物ガスを排気するためのシャワーヘッド側副生成物ガス排気口と を備えることを特徴とするCVD反応室のクリーニング装置。

IPC (2件)：

H01L21/31 ,  C23C16/44

FI (2件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/44 J

Fターム (24件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA05 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EG01 ,  5F045EH18

引用特許：

出願人引用 (2件)

• CVD装置のクリーニング方法およびそのためのクリーニング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082840   出願人：財団法人地球環境産業技術研究機構
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-202098   出願人：株式会社日立製作所