特許

J-GLOBAL ID：200903029793107238

CVD装置のクリーニング方法およびそのためのクリーニング装置

発明者： 芝 田 耕 治 ,  辻 直 人 ,  村 田 等 ,  和 仁 悦 夫 ,  小佐野 善 秀
出願人/特許権者： 財団法人地球環境産業技術研究機構
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082840
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280376
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 成膜工程の際に反応チャンバーの内壁、電極などの表面に付着、堆積したSiO2、Si3N4などの副生成物を、効率良く除去することができ、排出されるクリーニングガスの排出量も極めて低く、地球温暖化などの環境へ与える影響も少なく、コストも低減できるCVD装置におけるクリーニング方法を提供する。【解決手段】 CVD装置によって基板の成膜処理を行なった後に、含フッ素化合物を含んだフッ素系のクリーニングガスをリモートプラズマ発生装置によってプラズマ化し、プラズマ化したクリーニングガスを、反応チャンバー内に導入して、反応チャンバー内に付着した副生成物を除去する。

請求項（抜粋）：

反応チャンバー内に、反応ガスを供給するとともに、反応チャンバー内に配置した基材表面上に堆積膜を形成するCVD装置において、前記CVD装置によって基板の成膜処理を行なった後に、含フッ素化合物を含んだフッ素系のクリーニングガスをリモートプラズマ発生装置によってプラズマ化し、前記プラズマ化したクリーニングガスを、反応チャンバー内に導入して、反応チャンバー内に付着した副生成物を除去することを特徴とするCVD装置のクリーニング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/44 J ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 N

Fターム (47件)：

4G075AA24 ,  4G075AA57 ,  4G075BA05 ,  4G075BC04 ,  4G075BD03 ,  4G075BD05 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075CA51 ,  4G075CA65 ,  4G075DA01 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EB44 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA06 ,  5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F045AA08 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 反応室のクリーニング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-191942   出願人：株式会社日立国際電気
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-128995   出願人：三菱電機株式会社
• 遠隔の励起源を用いる堆積チャンバーのクリーニング技術
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-185924   出願人：アプライドコマツテクノロジー株式会社
• クリーニング方法及びクリーニングガス生成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-181667   出願人：東京エレクトロン株式会社