特許

J-GLOBAL ID：200903095339069049

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置

発明者： 島沢 幸司 ,  土屋 芳弘 ,  田中 浩介 ,  町田 貴彦
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (1件)： 阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-408045
公開番号（公開出願番号）：特開2005-174956
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】シンセティック・ピンド構造のSV膜において、強磁性膜間に強い交換結合を与え、反強磁性膜からの交換結合力を実効的に増大させながら、同時に分流損失を抑える。 【解決手段】ピンド層140は、第1の強磁性膜141と、第2の強磁性膜143と、非磁性金属膜142とを含む。第1の強磁性膜141は、一面が反強磁性膜130と隣接して交換結合を生じる。第2の強磁性膜143は、一面が非磁性導電膜150の一面と隣接する。非磁性金属膜142は、一面が第2の強磁性膜143の他面に隣接し、交換結合による磁界Hex1を第2の強磁性膜143に伝える。非磁性導電膜150は、一面が第2の強磁性膜143に隣接する。フリー層160は、一面が非磁性導電膜150の他面と隣接する。ピンド層160は、Fe及びNを含有する高抵抗強磁性膜141を含んでおり、高抵抗強磁性膜141は、非磁性金属膜142と反強磁性膜130との間に設けられる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ピンド層と、反強磁性膜と、非磁性導電膜と、フリー層とを含む磁気抵抗効果素子であって、 前記ピンド層は、第1の強磁性膜と、第2の強磁性膜と、非磁性金属膜とを含んでおり、 前記第1の強磁性膜は、一面が前記反強磁性膜と隣接して交換結合を生じるものであり、 前記第2の強磁性膜は、一面が前記非磁性導電膜の一面と隣接しており、 前記非磁性金属膜は、一面が前記第2の強磁性膜の他面に隣接し、前記交換結合による磁界を、前記第2の強磁性膜に伝えるものであり、 前記非磁性導電膜は、一面が前記第2の強磁性膜に隣接しており、 前記フリー層は、一面が前記非磁性導電膜の他面と隣接しており、 更に、前記ピンド層は、Fe及びNを含有する高抵抗強磁性膜を含んでおり、 前記高抵抗強磁性膜は、前記非磁性金属膜と前記反強磁性膜との間に設けられている 磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/32

FI (5件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/32

Fターム (4件)：

5D034BA03 ,  5D034BB12 ,  5E049AA01 ,  5E049BA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-270473   出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
• スピンバルブ型薄膜磁気素子及びこれを用いた薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-180743   出願人：アルプス電気株式会社