特許
J-GLOBAL ID：200903095360878763
コンタクト構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277922
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102447
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 埋め込み配線の形成と低誘電率層間絶縁膜の形成とを組み合わせたコンタクト構造の製造方法であって、低誘電率層間絶縁膜に形成する接続孔に対して形状の異常を発生させないものを実現する。【解決手段】 第3の層間絶縁膜10の上面に第4の層間絶縁膜11を形成する。次に、第4の層間絶縁膜11に配線溝の、第3の層間絶縁膜10に接続孔のパターニングをそれぞれ施す。次に、接続孔のパターンをまず第3の低誘電率層間絶縁膜9に形成する。次に、そこに露出した第2の層間絶縁膜8を除去し、第3の層間絶縁膜10に配線溝のパターンを形成する。そして、第2および第3の低誘電率層間絶縁膜7,9をエッチングして配線溝と接続孔とを同時に形成する。こうすれば、第2および第3の低誘電率層間絶縁膜7,9を露出させずにフォトレジストの再形成が行え、接続孔に形状の異常が発生しにくい。
請求項（抜粋）：
表面に接続対象たる電極を有する下地層を準備する第1工程と、前記下地層の上に第1絶縁膜と、第2絶縁膜と、第3絶縁膜と、フォトレジストの除去処理に対する耐性が前記第3絶縁膜よりも強い第4絶縁膜と、第1の貫通孔を有する第5絶縁膜とを、この順に積層して形成する第2工程と、前記第4および第5絶縁膜上に前記フォトレジストを形成し、前記フォトレジストにパターニングを施し、前記フォトレジストをマスクとして前記第4絶縁膜にエッチングを行い、前記第1の貫通孔において部分的に露出する第2の貫通孔を前記第4絶縁膜に形成する第3工程と、前記第4絶縁膜をマスクとして前記第3絶縁膜にエッチングを行い、前記第2の貫通孔と同形の第3の貫通孔を前記第3絶縁膜に形成する第4工程と、前記第5絶縁膜をマスクとして前記第4絶縁膜にエッチングを行い、前記第1の貫通孔と同形の第4の貫通孔を形成する第5工程と、前記第3絶縁膜をマスクとして前記第2絶縁膜にエッチングを行い、前記第2の貫通孔と同形の第5の貫通孔を形成する第6工程と、前記第4絶縁膜および前記第2絶縁膜をそれぞれマスクとし、前記第3絶縁膜および前記第1絶縁膜にエッチングを行い、それぞれに前記第1の貫通孔および第2の貫通孔と同形の第6および第7の貫通孔を、前記電極の上方に位置するように形成する第7工程とを備えるコンタクト構造の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/90 S
, H01L 21/90 A
5F033HH11
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033KK09
, 5F033KK11
, 5F033MM02
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ12
, 5F033QQ15
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ35
, 5F033QQ37
, 5F033QQ73
, 5F033QQ75
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR11
, 5F033RR21
, 5F033SS03
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033SS21
, 5F033TT04
, 5F033XX03
