特許

J-GLOBAL ID：200903095368269731

プログラム可能な不揮発性抵抗切り替えデバイス

発明者： サントス・エフ・アルバラード ,  ゲルハルト・イングマール・マイヤー ,  ゲオルグ・ベントノルツ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (4件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-286184
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108670
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】 複数の抵抗状態の間で可逆的に切り替えることができるメモリ素子を含むデバイスのような超小型電子デバイスを提供する。【解決手段】 メモリ素子は、第1の数の電極と、2電極のサブグループ間の第2の数の導電性チャネルとを含み、チャネルは、異なる状態間で可逆的に切り替え可能な電気抵抗を呈し、前記第1の数は2より大きく、前記第2の数は前記第1の数を2で割った数より多い。導電性チャネルは、遷移金属酸化物材料において与えられ、それは、電極と遷移金属酸化物材料との間の界面における切り替え現象に起因する可逆的に切り替え可能な抵抗を呈する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の数の電極と第2の数の導電性チャネルとを有し、前記チャネルのそれぞれが前記電極の1つを前記電極の別の1つに接続し、前記チャネルが異なる状態間で可逆的に切り替え可能な電気抵抗を呈する、メモリ素子であって、前記第1の数が2より大きく、前記第2の数が前記第1の数を2で割った数より多い、メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  G11C 13/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  G11C13/00 A ,  H01L49/00 Z

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6,204,139号
  
• 国際出願公開WO00/49659A1
  

審査官引用 (3件)

• 記憶素子、メモリ回路、半導体集積回路
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-543724   出願人：松下電器産業株式会社
• 不揮発性プログラマブルメモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-511326   出願人：ユニティ・セミコンダクター・コーポレーション
• 記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-214603   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• FIELD-DRIVEN HYSTERETIC AND REVERSIDLE RESISTIVE SWITCH AT THE Ag-Pr0.7Ca0.3MnO3 INTERFACE
• FIELD-DRIVEN HYSTERETIC AND REVERSIDLE RESISTIVE SWITCH AT THE Ag-Pr0.7Ca0.3MnO3 INTERFACE
• FIELD-DRIVEN HYSTERETIC AND REVERSIDLE RESISTIVE SWITCH AT THE Ag-Pr0.7Ca0.3MnO3 INTERFACE