特許
J-GLOBAL ID：200903095385445519
電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-236230
公開番号（公開出願番号）：特開2008-061404
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：
【課題】スイッチング素子にワイドバンドギャップ半導体を用いても装置全体のコストアップを抑えられるような電力変換装置を得る。【解決手段】主スイッチング素子(13)をSiC半導体からなるチップによって構成する。そして、そのチップサイズは、オン電圧降下が従来のSi半導体からなるチップと同等以上になるようなサイズにする。これにより、チップの小型化を図ることができ、装置全体の小型化及びコストの低減を実現することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
電力変換用の主スイッチング素子(13)は、200V以上の耐圧を有するワイドバンドギャップ半導体のチップによって構成され、
上記チップは、オン電圧降下がSi半導体からなるチップと同等以上になるように、該Si半導体のチップよりも小さいサイズに形成されていることを特徴とする電力変換装置。
IPC (4件)：
H02M 1/00
, H02M 7/12
, H02M 7/48
, H02M 7/538
H02M1/00 R
, H02M7/12 B
, H02M7/48 M
, H02M7/5387 Z
5H006BB05
, 5H006CA01
, 5H006CA07
, 5H006CA12
, 5H006CA13
, 5H006CB04
, 5H006CB08
, 5H006CC02
, 5H006DA02
, 5H006DC08
, 5H006FA03
, 5H006HA01
, 5H007AA03
, 5H007AA06
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB04
, 5H007CB05
, 5H007CC07
, 5H007CC12
, 5H007CC14
, 5H007CC23
, 5H007DA05
, 5H007DC08
, 5H007EA02
, 5H007HA05
, 5H007HA06
, 5H740BA11
, 5H740BB03
, 5H740BB05
, 5H740BB07
, 5H740BB09
, 5H740MM08
, 5H740MM11
, 5H740PP05
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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