特許

J-GLOBAL ID：200903095399910397

GaN系半導体デバイスの製造方法

発明者： 木村 忠司 ,  齋藤 光央 ,  奥村 智洋 ,  池田 義人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312429
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124188
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 下地とのエッチング選択比を大きくできて電子供給率の低下を来す恐れのないGaN系半導体デバイスの製造方法を提供する【解決手段】 GaN系半導体デバイスの製造工程において、n+ -GaN層6をn+ -AlGaN層5に対して選択的にエッチングを行う際に、Cl原子を含むガスとF原子を含むガスを用い、そのCl原子を含むガスの濃度を60〜90%としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

真空反応室内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に制御しながら、真空反応室内の基板電極に対向して設けられたコイルに高周波電力を印加することで真空反応室内にプラズマを発生させ、基板電極上に配置された基板の多層膜を処理するGaN系半導体デバイスの製造方法であって、GaN膜のAlGaN膜に対する選択エッチングを行う際、真空反応室内にCl原子を含むガスとF原子を含むガスを導入し、そのCl原子を含むガスの濃度が60%から90%であることを特徴とするGaN系半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 29/80 H

Fターム (24件)：

5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004CA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA29 ,  5F004DB19 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化合物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-094220   出願人：日本電気株式会社
• 化合物半導体選択ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-226400   出願人：株式会社日立製作所
• ドライエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-329710   出願人：ソニー株式会社