特許
J-GLOBAL ID：200903095407819841

階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリセル

発明者：
トーマス ハップ

トーマス ハップ について

, 
ヤン ボリス フィリップ

ヤン ボリス フィリップ について


出願人/特許権者：
キモンダ ノース アメリカ コーポレイション

キモンダ ノース アメリカ コーポレイション について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-187004
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103677
出願日： 2007年07月18日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリを形成し、相変化メモリの高密度化をはかる手法を提供する。【解決手段】メモリセルは、第1の電極202、第2の電極206、および上記第1の電極202と上記第2の電極206との間にある相変化材料204を含んでいる。上記相変化材料204は、階段状のプログラム特性を有している。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
第1の電極と、 第2の電極と、 上記第1の電極と上記第2の電極との間にあり、かつ階段状のプログラム特性を有している相変化材料と、 を備えるメモリセル。
IPC (2件)：
H01L 27/105 ,  H01L 45/00
FI (2件)：
H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z
Fターム (10件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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