特許
J-GLOBAL ID：200903095435802210
半導体素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070129
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274641
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【目的】 信頼性の高い半導体を用いた半導体素子を提供する。【構成】 基板1上に形成された第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に該第1の半導体領域の一部が露出するように設けられた該第1の半導体領域よりもエッチングされ易い材料からなる電流狭窄層14と、前記電流狭窄層14から露出する前記第1の半導体領域上及び前記電流狭窄層14上に設けられた第2の半導体領域とを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に該第1の半導体領域の一部が露出するように設けられた該第1の半導体領域よりもエッチングされ易い材料からなる電流狭窄層と、前記電流狭窄層から露出する前記第1の半導体領域上及び前記電流狭窄層上に設けられた第2の半導体領域とを備えることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02F 1/015 505
, H01L 33/00
H01S 3/18
, G02F 1/015 505
, H01L 33/00 C
