特許
J-GLOBAL ID：200903027891508213
窒化物半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053429
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246666
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【目的】 容易にストライプ幅の狭い活性領域が作製できる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することにより、レーザ素子の閾値電流を下げて室温での連続発振を目指す。【構成】 第1導電型を有する第1の窒化物半導体層3の上に、窒化物半導体薄膜が成長しにくい性質を有し、かつ活性層よりも屈折率が小さい材料よりなるマスク100をストライプ状の開口部を有する形状で形成し、その開口部内に第2の窒化物半導体よりなる活性層5を成長させる。
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する第1の窒化物半導体層の上に、窒化物半導体薄膜が成長しにくい性質を有し、かつ活性層よりも屈折率が小さい材料よりなるマスクをストライプ状の開口部を有する形状で形成し、その開口部内に第2の窒化物半導体よりなる活性層を成長させることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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