特許

J-GLOBAL ID：200903095445924713

マイクロリソグラフパターンの製作におけるパターンの認定、パターン形成プロセス、又はパターン形成装置

発明者： ピーターソン,イングリッド・ビイ ,  ホン デン ホフ,マイク ,  ウィリー,ジム
出願人/特許権者： ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-505128
公開番号（公開出願番号）：特表2005-533292
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

リソグラフィ変数の1セットの要素の異なる値に対するレチクルの空間画像を収集する段階を含む方法が提供される。1つの方法は、異なる値の少なくとも2つに対応する空間画像の少なくとも1ペアを比較することにより、レチクルの設計パターン内の異常の存在を特定する段階を含む。別の方法は、異なる値の少なくとも2つに対応する空間画像の少なくとも1ペアを比較する段階と、レチクルを用いるリソグラフプロセスが比較の結果に基づく欠陥に対して最も影響されやすいレチクル上の領域を特定する段階とを含む。別の実施形態は、空間画像から非過渡的な欠陥を減算して、且つ異なる値の少なくとも2つに対応する空間画像の少なくとも1ペアを比較することによって、レチクル上の過渡的な繰り返し欠陥の存在を特定する段階を含む。

請求項（抜粋）：

設計パターンを含むレチクルの空間画像をリソグラフ変数の1セットの要素の異なる値に対して収集する段階と、 前記異なる値の少なくとも2つに対応する前記空間画像の少なくとも1ペアを比較することによって前記設計パターン内の異常の存在を特定する段階と、 を含む方法。

IPC (3件)：

G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (3件)：

G03F1/08 S ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502V

Fターム (3件)：

2H095BA01 ,  2H095BD04 ,  2H095BD11

引用特許：

出願人引用 (8件)

• 国際特許公開WO00/36525号公報
  
• 米国特許出願番号10/029,521公報
  
• 米国特許第6,268,093号公報
  
• 米国特許第6,373,975号公報
  
• 米国出願番号60/451,707公報
  
• 米国特許出願番号60/418,994公報
  
• 米国出願番号09/449,022公報
  
• 米国特許出願番号60/418,994
  

審査官引用 (4件)

• 空中画像を使用するレチクル検査のための方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-351938   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• フォトリソグラフィシミュレーションによるレティクル検査方法及びシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-309917   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 透過光及び反射光を用いたエアリアルイメージ測定装置及びこれを用いた測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-241495   出願人：三星電子株式会社
• パターン線幅予測方法及びそれを用いたマスクパターン修正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-109523   出願人：日本電気株式会社