半導体装置における金属薄膜形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-352990
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142411
出願日： 1993年12月29日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜上でも密着性良く金属タングステン薄膜を形成する。【構成】 SiO2 膜5の表面近傍にWF6 ガスとH2 ガスを導入して、これらのガスをプラズマ化し、プラズマ状態でこれらのガスを互いに反応させてWF6を還元し、SiO2 膜5の表面にもタングステンの成長核7′を形成する。しかる後、WF6 ガスとH2 ガスによる通常のCVD法によりタングステン薄膜7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜の上に化学気相成長法により金属薄膜を形成する金属薄膜形成方法において、金属薄膜を形成すべき金属を含んだ原料ガスとこの原料ガスを分解する還元ガスとをプラズマ状態で互いに反応させ、上記絶縁膜の表面に上記金属の成長核を形成する工程と、上記原料ガスと上記還元ガスとを、上記成長核が形成された上記絶縁膜上に導入して、化学気相成長法により金属薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする金属薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平1-191778
特開平3-295258
特開平3-174727

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