特許
J-GLOBAL ID：200903095473066625

光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報再生方法

発明者：
西村 直樹

西村 直樹 について

, 
廣木 知之

廣木 知之 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236209
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102101
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【構成】 基板上に、再生層、中間層およびメモリ層が少なくともその順に積層され、再生時の光スポット内の高温領域および低温領域では再生層の磁化が一方向に揃ってメモリ層の記録情報がマスクされ、中温領域ではメモリ層の磁化情報が再生層に転写される光磁気記録媒体を用いて、情報再生を行う。【効果】 再生磁界を印加せずに、ビームスポット系より小さい磁区の再生が可能で、線密度とトラック密度の両方を大幅に向上して高密度記録の達成が可能となる。
請求項（抜粋）：
光磁気記録媒体において、室温とキュリー温度の間に補償温度を有する、垂直磁化膜からなる第1磁性層と、前記第1磁性層より大きな保磁力と低いキュリー温度を有する垂直磁化膜からなる、情報が蓄積される第2磁性層と、前記第1磁性層及び第2磁性層のキュリー温度より低く、前記第1磁性層の補償温度近傍のキュリー温度を有し、室温での面内異方性が第1、2磁性層よりも大きい第3磁性層とを基板上に、前記第1磁性層、第3磁性層、第2磁性層の順で少なくとも積層してなり、前記第1磁性層は、室温から第3磁性層のキュリー温度間において前記第2磁性層と交換結合し、前記第2磁性層に蓄積された情報を転写されると共に前記第3磁性層のキュリー温度近傍において、前記第2磁性層に蓄積された情報によらず一方向に磁化されることを特徴とする光磁気記録媒体。
IPC (3件)：
G11B 11/10 506 ,  G11B 11/10 ,  G11B 11/10 586
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM