特許

J-GLOBAL ID：200903095496327434

コンタクトホールの形成方法

発明者： 駒井 正嗣
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-280284
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148467
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【構成】 SiO2 膜15の下部にこのエッチング条件においてSiO2 膜との選択比が高く、かつ透光性を有するPoly-Siパッド12aを形成しておくコンタクトホールの形成方法。【効果】 パッド12aを測定可能な薄い膜厚t1 に設定すると共に、エッチング処理後にオーバーエッチングに対応し得る下地膜厚t2 を確保し、これらを確実に測定することができる。このため、オーバーエッチング量((t1 -t2 )×選択比)とSiO2 膜15の膜厚t3 との和によりコンタクトホール17aのトータルエッチング量を求めることができる。またホール17aの大きさ別エッチングレートを求めておくと、微細コンタクトホールを開口するのに十分なホール17aのオーバーエッチング量が求められ、微細コンタクトホールを確実に形成し、半導体集積回路の品質向上と高集積化とを実現することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にSiO2 膜を形成し、該SiO2 膜上にフォトリソグラフィを施してレジストパターンを形成し、該レジストパタ-ンをマスクにしてCF4 、CHF3 系ガスまたはこれにAr系の不活性ガスを加えた混合ガスにより、前記SiO2 膜をエッチングしてコンタクトホ-ルを形成する方法であって、前記SiO2 膜の下部に、該SiO2 膜のエッチング条件においてSiO2膜との選択比が高く、かつ透光性を有する下地膜を形成しておくことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-317357
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-252625   出願人：株式会社東芝
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-060755   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-317357