磁気抵抗効果型ヘッド

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225296
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078315
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】本発明は、再生波形の上下非対称性を効果的に抑制でき、その結果、高トラック密度記録信号の再生を高い信号品質をもって可能とする磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。【構成】磁気抵抗効果素子の上に配置される一対の薄膜リード電極が配置されこれら一対のリード電極の間隔で再生トラック幅(WMR)が規定される磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、LをMR素子の上に重ねて配置される一対のリードのデプスがMR素子のデプス(D)と同じ幅を有する部分のトラック幅方向の長さ、WMRを一対のリード間隔(=MR素子の再生トラック幅)と定義するとき、条件式DMR×0.3≦L≦WMR×10を満足させたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

請求項（抜粋）：

所定の動作点バイアス手段を具備する磁気抵抗効果素子にセンス電流を流すために前記磁気抵抗効果素子の上に配置される導電性薄膜から成る一対のリード電極が配置され、これら一対のリード電極の間隔で前記磁気抵抗効果素子の能動領域の幅になる再生トラック幅WMRが規定される磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記一対のリード電極の前記再生トラック幅を規定するそれぞれの所定の端部領域においては、前記一対のリード電極の磁気記録媒体面垂直方向の幅は磁気抵抗効果素子の磁気記録媒体面垂直方向の幅DMRと略同一であり、前記一対のリード電極の前記所定の端部領域のトラック幅方向の長さLが次の条件を満足することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。DMR×0.3≦L≦WMR×10

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336650 出願人：富士通株式会社
磁気抵抗効果型ヘツド
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-207037 出願人：富士通株式会社
磁気抵抗効果型ヘツド
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-179741 出願人：富士通株式会社

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