特許
J-GLOBAL ID：200903095534688420

半導体素子の処理方法及びその装置

発明者：
屋良 卓也

屋良 卓也 について

, 
中武 純夫

中武 純夫 について


出願人/特許権者：
積水化学工業株式会社

積水化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-369498
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151480
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理ガスで処理の可能な放電プラズマ処理を用いて、アッシングをすることができる方法及びその装置を提供。【解決手段】 プラズマ処理による半導体製造工程におけるアッシング処理において、大気圧近傍の圧力下、雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られる放電プラズマを被処理基材に接触させることを特徴とする半導体素子の処理方法及び装置。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理による半導体製造工程におけるアッシング処理において、大気圧近傍の圧力下、雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られる放電プラズマを被処理基材に接触させることを特徴とする半導体素子の処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/24
FI (4件)：
G03F 7/42 ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A
Fターム (17件)：
2H096AA25 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA06 ,  5F004BB03 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB26 ,  5F046MA12
引用特許：
審査官引用 (2件)

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