特許

J-GLOBAL ID：200903095588901730

半導体装置の製造方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149615
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340593
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】パッド電極の形成位置に対してバンプの形成位置を再配置するように、導電膜(BLM膜)をパターン形成する方法において、ウェーハ処理枚数を重ねても、安定な処理により導電膜(BLM膜)とバンプとの接合界面における電気抵抗の上昇や接合強度の低下などを抑制し、接続信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ10上に、パッド電極11に接続し、バンプの形成位置まで接続するパターンの導電膜14を形成し、その上層にバンプ形成位置に開口部を有する保護膜15を形成す。次に、半導体ウェーハ10を加熱処理して保護膜15に含有される水分を放出させる割合を制御しながら、あるいは放出させた後に、エッチングなどで開口部に残された残渣15aや酸化物を除去し、導電膜14表面を清浄化し、その上層にバンプを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの回路パターンに接続するパッド電極が形成された半導体ウェーハ上に前記パッド電極に接続するようにバンプを形成する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェーハ上に、前記パッド電極に接続し、前記バンプの形成位置まで接続するパターンの導電膜を形成する工程と、前記導電膜を被覆する保護膜を形成する工程と、前記バンプ形成位置において前記保護膜に開口部を形成する工程と、少なくとも前記保護膜に含有される水分を放出させる割合を制御しながら前記開口部における前記導電膜表面を清浄化する工程と、前記開口部において前記導電膜の上層にバンプを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/12

FI (7件)：

H01L 21/92 604 C ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 23/12 L

Fターム (51件)：

5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA05 ,  5F004BA09 ,  5F004BB17 ,  5F004BB20 ,  5F004BB22 ,  5F004BB26 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD05 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK09 ,  5F033MM08 ,  5F033MM17 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033WW03 ,  5F033WW08 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13 ,  5F033XX31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-274458   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-089778   出願人：ソニー株式会社
• はんだボールバンプの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-064361   出願人：ソニー株式会社